Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Čtyř-segmentová vakuová XUV fotodioda
Schmidt, Jiří ; Koláček, Karel ; Frolov, Oleksandr ; Prukner, Václav ; Štraus, Jaroslav
Dioda měkkého rtg. záření/XUV je mocný diagnostický nástroj pro nastavování, mimo jiné v experimentech s kapilárním výbojem, které generují směrové záření v měkké rtg. oblasti. V naších experimentálních zařízeních (CAPEX a CAPEX-U) jsme obvykle používali PIN diodu nebo vakuovou fotodiodu (jedno-segmentovou). Tyto diagnostiky jsou ne zcela vhodné, hlavně z důvodu mnoha výstřelů (více než 50), které jsou nezbytné k nalezení optické osy. Během posledního roku jsme navrhli a vyrobili 4-segmentovou diodu pracující v měkké rtg. oblasti se zlatou fotokatodou, která detekuje měkké rtg. záření emitované v axiálním směru. Tento nový diagnostický nástroj je schopen lokalizovat osu laseru v měkké rtg. oblasti během několika málo výstřelů (méně než 10). Popis a experimentální měřeni 4-segmentové XUV vakuové diody je předmětem tohoto článku.
Využití modelových spekter ke stanovení vhodných parametrů kapilárního výboje pro zesílenou emisi Balmerova alfa – přechodu H–like N (13,4 nm)
Štraus, Jaroslav ; Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Prukner, Václav
Naše zařízení s kapilárním výbojem CAPEX-U, jak i mnoho dalších impulsních zařízení, potřebují velice precizní spouštěni vysokonapěťových spínačů. Laserem spínané jiskřiště nabízí mnoho výhod oproti elektrický spínanému pokud jde o reprodukovatelnost, spolehlivost, vhodnost pro multikanálový provoz a elektrickou izolovanost od hlavního vysokonapěťového pulzu. Tady představujeme výsledky současné iniciace čtyřkanálového vysokonapěťového jiskřiště pomocí Nd:YAG laseru (λ=1064 nm). Jiskřiště bylo natlakovano SF6 a N2 a udrželo napětí kolem 500 kV na vzdáleností 13 mm. Elektrické parametry jiskřiště byly získané z porovnáni výsledků experimentu a simulace.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.